玩单片机的都可能遇到过因外（wài）部干扰（rǎo）或（huò）因软（ruǎn）件BUG导致死机，这对于有功率负载的（de）电路是极为不利的。 现在MCU都有（yǒu）了WDT看（kàn）门狗，当计数（shù）溢（yì）出就（jiù）强制（zhì）进行复位。 但（dàn）如果（guǒ）单片机（jī）因某种原（yuán）因(如静电、浪涌等击穿)直接导致损坏，使其输入输出状态无法（fǎ）控制，且无法预料时，可能会造成不（bú）良后果（guǒ）甚至人身安全（quán）。 如电机控制、逆变（biàn）器等，当异常发生MCU输出端一直输出固定电平(这里（lǐ）假设（shè）高电平驱动)会导致线圈进入饱（bǎo）和，产生（shēng）大电（diàn）流发热烧毁线圈（quān）甚至（zhì）是起（qǐ）火引发（fā）一（yī）系列不可预料后果。 那如（rú）何去有效（xiào）避（bì）免这（zhè）类（lèi）问题的发生呢?

任一MOS持（chí）续导（dǎo）通都会导线圈饱和（hé）发热

首先，最大的（de）问题是单片机失效（xiào）后，IO端（duān）口（kǒu）状态无法（fǎ）预料，只能切断负载供电，所以只要能检测到MCU是否正常工作，然（rán）后去（qù）控制负载供电开（kāi）关（guān）就（jiù）可以避免上述问题了。 顺着这个（gè）思路，我们可以让单片（piàn）机一个IO口一（yī）直输出50%占空比PWM信号，用一个电容进行隔（gé）离，当正（zhèng）常工（gōng）作时（shí）PWM信（xìn）号可以通（tōng）过（guò）电容，经（jīng）过整（zhěng）流滤（lǜ）波驱动MOS管导（dǎo）通，当死机后就（jiù）没有（yǒu）PWM信号输出了，此时不（bú）管IO口是持续的高还是低电平，经过电容后级都（dōu）没有电压了，此时MOS管截（jié）止负载供电被（bèi）关断，这样就（jiù）有效保护了负载。

负载保护电路图

最后结合上图重新（xīn）梳理一遍保护过（guò）程。 当单片机正常运行时IO1持（chí）续输出PWM信号，整（zhěng）流滤波后推动（dòng）后级MOS管导（dǎo）通（tōng），提供负载（zǎi）供（gòng）电（diàn）; 当（dāng）单（dān）片机死（sǐ）机或失效（xiào）后，就没有PWM信（xìn）号输出，无（wú）论输出是持续的高或低电平，都没有（yǒu）整流（liú）电压推动后级MOS开关（guān）管（guǎn），此时MOS管（guǎn）截止，负（fù）载断（duàn）电（diàn）!

本电（diàn）路重点运用了（le）电容的隔直流特性，既能让连续变（biàn）化（huà）的PWM耦合通过，又可以阻止直流电压通过，从而有效检（jiǎn）测MCU是否异常，同时控制（zhì）负载供电开（kāi）关。