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产品展示（shì）
◇当前所在位置：所有产品 >> 二三极管 场效应 晶闸管（guǎn）等（děng）
    8N60C
    描述：TO-220 N沟道,漏极电流（liú）ID=7.5A at 25摄氏度,漏源击穿（chuān）电压（yā）VDSS=600V,漏源电阻RDS(on)<=1.2欧 at 栅源电压VGS=10V 漏极电流（liú）ID=3.75A,耗散功率PD=147W at 25摄氏度
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 3.5
  • 2.8
  •  
    FQP6N80C
    描（miáo）述：TO-220 进口仙童/ON N沟道,通（tōng）态漏（lòu）极（jí）电流（liú）ID=5.5A at 25摄氏（shì）度,漏源击穿（chuān）电压VDSS=800V,漏源电阻RDS(on)<=2.5欧（ōu） at 栅（shān）源电压VGS=10V 漏（lòu）极（jí）电流ID=2.75A,耗散功率PD=158W at 25摄氏度
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 4.2
  • 另议
  •  
    FQP8N80C
    描述（shù）：TO-220 进口仙童N沟道,通态（tài）漏极电流ID=8A at 25摄（shè）氏度,漏源击穿电（diàn）压VDSS=800V,漏源电阻RDS(on)<=1.55欧 at 栅源电压VGS=10V 漏极电流（liú）ID=4A,耗散功率PD=178W at 25摄氏度
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 7
  • 另议
  •  
    10N60B
    描述（shù）：TO-220F N沟道,漏极电流ID=9A at 25摄氏度（dù）,漏源击穿电压VDSS=600V,漏源电阻（zǔ）RDS(on)<=0.8欧 at 栅源电（diàn）压（yā）VGS=10V 漏极电流（liú）ID=9A,耗散功率PD=50W at 25摄氏（shì）度
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 4
  • 3.25
  •  
    SVF12N65F
    描述：TO-220F 品牌士（shì）兰微 N沟道,12A 650V 0.64欧姆（mǔ）
  • 数（shù）量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 2
  • 另议
  •  
    P60NF06
    描（miáo）述：TO-220 进口ST N沟道,漏极电（diàn）流ID=16A at 25摄（shè）氏（shì）度,漏（lòu）源击穿（chuān）电（diàn）压（yā）VDSS=60V,漏源（yuán）电阻RDS(on)<=0.1欧 at 栅（shān）源电（diàn）压（yā）VGS=10V 漏极电流ID=8A,耗散功（gōng）率PD=45W at 25摄氏度
  • 数量（liàng）
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 4.4
  • 4
  •  
    FQP17P10
    描述：TO-220 P沟（gōu）道（dào）,通态漏极电流ID=-16.5A at 25摄氏度,漏源击（jī）穿电压VDSS=-100V,漏（lòu）源（yuán）电（diàn）阻RDS(on)<=0.19欧 at 栅源电压VGS=-10V 漏极电（diàn）流ID=-8.25A ,耗散功率PD=100W at 25摄（shè）氏度
  • 数（shù）量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格（gé）
  • 12
  • 另议
  •  
    P75NF75
    描（miáo）述：TO-220 N沟道,漏极（jí）电（diàn）流ID=80A at 25摄氏度,漏源击穿电（diàn）压VDSS=75V,漏源电阻RDS(on)<=0.011欧 at 栅（shān）源电压VGS=10V 漏极电流ID=40A,耗散功（gōng）率PD=300W at 25摄氏（shì）度（dù）
  • 数量（liàng）
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格（gé）
  • 3.9
  • 3.5
  •  
    IPP15N03L
    描述：TO-220 品（pǐn）牌infineon N沟道,漏极电流（liú）ID=42A at 25摄氏度,漏源击穿（chuān）电压VDSS=30V,漏源电阻（zǔ）RDS(on)<=0.0126欧 at 栅源（yuán）电压VGS=10V 漏极电流ID=21A,耗散（sàn）功率PD=83W at 25摄氏度
  • 数量（liàng）
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 7
  • 时价
  •  
    K1249(2SK1249)
    描述（shù）：TO-3P N沟道,漏源击穿电压VDSS=500V,漏极电流ID=15A 进口
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 11.5
  • 另议
  •  
    K2842(2SK2842)
    描述：TO-220 N沟道,漏源击穿电（diàn）压VDSS=500V,漏源电阻RDS(on)=0.04欧 at 栅源（yuán）电压VGS=+-30V 漏极电流ID=12A,耗散功率PD=40W
  • 数量（liàng）
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 4.5
  • 3.7
  •  
    SSP7N80A
    描述：TO-220 N沟道,漏源（yuán）击穿电压（yā）VDSS=800V,漏源电阻（zǔ）RDS(on)=1.8欧 漏极电流（liú）ID=7A
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价（jià）格
  • 8
  • 另（lìng）议
  •  
    FQA70N10
    描述：TO-3P 品（pǐn）牌ON N沟道,100V,70A,23毫欧
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 14
  • 另议（yì）
  •  
    FDA70N20
    描述：TO-3PN 品（pǐn）牌FAIRCHILD N沟道,200V,70A,35毫欧
  • 数（shù）量（liàng）
  • 1
  • 50
  •  
  • 价（jià）格（gé）
  • 19
  • 另议
  •  
    FDA18N50
    描述：TO-3PN 品牌安森（sēn）美（měi） N沟道,500V,19A,265毫欧
  • 数量（liàng）
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 12
  • 另议
  •  
    FQP30N06L-VB
    描述：TO-220 品牌（pái）微碧 N沟道（dào）,漏源击穿电压VDSS=100V,漏源电阻RDS(on)=0.127欧 漏极电（diàn）流ID=18A
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 3.2
  • 另议
  •  
    RFP25N05
    描（miáo）述：TO-220 品牌FSC N沟（gōu）道,漏源击穿（chuān）电（diàn）压VDSS=50V,漏（lòu）源电阻RDS(on)=0.047欧 漏极电流ID=25A
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价（jià）格
  • 7
  • 另议
  •  
    FQP27P06
    描述：TO-220 友台半导体（tǐ） P沟（gōu）道（dào）,漏源击穿电压VDSS=60V,漏源电阻RDS(on)=0.07欧 漏极电流ID=13.5A
  • 数量（liàng）
  • 1
  • 50
  •  
  • 价（jià）格
  • 2.7
  • 另议
  •  
    RFP30P05 国产优质
    描（miáo）述：TO-220 国产（chǎn）大（dà）芯片 P沟道（dào）,漏（lòu）源（yuán）击（jī）穿电压VDSS=50V,漏源电阻RDS(on)=0.065欧 漏极电流ID=30A
  • 数量（liàng）
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 3.5
  • 另议
  •  
    RFP30P05 翻新（xīn）
    描述（shù）：TO-220 品（pǐn）牌FSC P沟（gōu）道（dào）,漏源击穿电压VDSS=50V,漏源电阻RDS(on)=0.065欧 漏极电流ID=30A
  • 数量（liàng）
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格（gé）
  • 4.5
  • 另议（yì）
  •  
    RFP40N10
    描述：TO-220 进口ST 40A,100V,0.04ohm,N沟道,硅,场效应管
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 5
  • 另（lìng）议
  •  
    RFP40N10 台产
    描述：TO-220 品（pǐn）牌VB N沟道 100V 45A 内阻32mΩ
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格（gé）
  • 3.2
  • 另议
  •  
    MTP60N15
    描述：TO-220 台（tái）产
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 5.5
  • 另议
  •  
    数量（liàng）：个（gè）；价格（gé）：元
    TP0610L 散（sàn）新
    描述（shù）：TO-92，品牌威士（shì），180mA,60V,P沟（gōu）道,硅（guī）小信（xìn）号,场效应（yīng）管
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价（jià）格
  • 7.5
  • 另（lìng）议
  •  
    SSF6010 台产（chǎn）
    描述：TO-220 台产SILIKRON 64A,60V,0.013欧姆, N沟道
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格（gé）
  • 3.5
  • 另（lìng）议
  •  
    FDC604P
    描述（shù）：SOT-6 P沟道,漏极电流ID=-5.5A at 25摄氏度,漏（lòu）源击穿电（diàn）压VDSS=-20V,漏源电阻RDS(on)=0.033欧 at 栅源电压VGS=-4.5V 漏极（jí）电流（liú）ID=-5.5A,漏源电阻（zǔ）RDS(on)=0.043欧（ōu） at 栅（shān）源电压VGS=-2.5V 漏极（jí）电（diàn）流ID=-4.8A,漏源电（diàn）阻RDS(on)=0.060欧 at 栅（shān）源电压VGS=-1.8V 漏极电流ID=-4.0A,耗（hào）散功率PD=1.6W at 25摄氏度（dù）
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格（gé）
  • 2.5
  • 另议
  •  
    IPP14N03LA
    描述（shù）：P-TO220-3-1原装进口 N沟道,通态漏（lòu）极电流ID=30A at 25摄氏度,漏（lòu）源击（jī）穿电压VDSS=25V,漏源电阻RDS(on)<=0.0136欧 at 栅源电压VGS=10V 漏极电流ID=30A ,耗散功率PD=46W at 25摄氏度
  • 数量
  • 1
  •  
  •  
  • 价格
  • 11
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